γ脉宽对电子器件瞬时辐射效应的影响

《中国工程物理研究院第七届电子技术青年学术交流会论文集》 2005年

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γ脉宽对电子器件瞬时辐射效应的影响

朱小锋   赵洪超   开通知网号

【摘要】：介绍电子器件的脉冲宽度效应基本原理以及脉冲宽度与辐照响应的关系、在两种γ脉冲辐射源,脉冲宽度分别为:-20ns、-50ns、-150ns,剂量率为106-109Gy(Si)／s下,对五种不同类型的电子器件进行了辐照试验,对其辐照响应进行分析,比较了不同脉宽对辐照响应的差异。实验和分析表明,脉冲宽度是瞬时辐照效应的重要考察因素,γ脉冲宽度越宽,辐射存储时间越长,辐照响应越强;分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显。

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